Исследование гальваномагнитных эффектов в кремнии n-типа в сильных магнитных полях

Измерено продольное и поперечное магнитосопротивление кремния. Установлено, что насыщение магнитосопротивления наступает вне зависимости от удельного сопротивления, кристаллографической ориентации и температуры образца. По температурной зависимости магнитосопротивления определен механизм рассеяния. Абсолютное значение насыщения магнитосопротивления определяется лишь кристаллографической ориентацией образца в магнитном поле. При температуре 77,4 К обнаружено наличие отрицательного магнитосопротивления в квантующем магнитном поле, обусловленное перераспределением электронов между долинами. В квантовом пределе магнитосопротивление становится положительным. Подтверждена независимость константы Холла от напряженности магнитного поля в области примесной проводимости для монокристаллов кремния n-типа.
2008
Автореферат
float(0.097498893737793)