Накопление электронных центров окраски в кристаллах LiF под воздействием ионного и импульсного электронного облучения

Исследована структура радиационных дефектов в кристаллах фторида лития под действием ионного и импульсного электронного облучения. Определен радиус треков частиц. Выведена зависимость концентрации накопленных F-центров от плотности потока ионов. Изучены закономерности формирования наноразмерных радиационных дефектов на поверхности кристалла в зависимости от уровня ионизационных потерь энергии ионов, а также дипольный механизм образования нанодефектов.
2010
Автореферат